NDD36PT6-2AAT TR
Αριθμός μέρους κατασκευαστή | NDD36PT6-2AAT TR |
---|---|
Κατασκευαστής | Insignis Technology Corporation |
Λεπτομερής περιγραφή | DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(X |
Πακέτο | 66-TSOP II |
Σε απόθεμα | 25477 pcs |
Φύλλο δεδομένων |
Τιμή αναφοράς (Σε δολάρια ΗΠΑ)
1000 |
---|
$1.503 |
Ωρα παράδοσης
Το Components-House.com είναι ένας αξιόπιστος διανομέας ηλεκτρονικών εξαρτημάτων.Ειδικευόμαστε σε όλα τα ηλεκτρονικά εξαρτήματα της σειράς Insignis Technology Corporation.Έχουμε τα 25477 κομμάτια του Insignis Technology Corporation NDD36PT6-2AAT TR σε απόθεμα που είναι διαθέσιμα τώρα.Ζητήστε ένα απόσπασμα από την Electronics Components Distributor στο Components-House.com, η ομάδα πωλήσεών μας θα επικοινωνήσει μαζί σας εντός 24 ωρών.
RFQ Email: info@Components-House.net
RFQ Email: info@Components-House.net
ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
Γράψτε χρόνο κύκλου - Word, Page | 15ns |
Τάσης - Προμήθεια | 2.3V ~ 2.7V |
Τεχνολογία | SDRAM - DDR |
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή | 66-TSOP II |
Σειρά | NDD |
Συσκευασία / υπόθεση | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Πακέτο | Tape & Reel (TR) |
Θερμοκρασία λειτουργίας | -40°C ~ 105°C (TA) |
Χαρακτηριστικό προϊόντος | Τιμή χαρακτηριστικού |
---|---|
τοποθέτηση Τύπος | Surface Mount |
Τύπος μνήμης | Volatile |
Μέγεθος μνήμης | 256Mbit |
Οργάνωση μνήμης | 16M x 16 |
Διασύνδεση μνήμης | SSTL_2 |
Μορφή μνήμης | DRAM |
Συχνότητα ρολογιού | 200 MHz |
Χρόνος πρόσβασης | 700 ps |
Συνιστώμενα προϊόντα
-
NDD05N50Z-1G9
NFET DPAK 500V 4.7A 1.5OHonsemi -
NDD05N50Z-1G
MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAKonsemi -
NDD58PFD-2AET
DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR DInsignis Technology Corporation -
NDD04N60ZT4G
MOSFET N-CH 600V 4.1A DPAKonsemi -
NDD36PT6-2AAT
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD04N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 3A DPAKonsemi -
NDD05N50ZT4G
MOSFET N-CH 500V 4.7A DPAKonsemi -
NDD04N50Z-1G
MOSFET N-CH 500V 3A IPAKonsemi -
NDD56PT6-2AET
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD04N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 4.1A IPAKonsemi -
NDD56PT6-2AIT
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PFD-2AIT
DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),Insignis Technology Corporation -
NDD36PFD-2AIT TR
DDR 256MB X16, FBGA, 8X13(X1.2),Insignis Technology Corporation -
NDD58PFD-2AET TR
DDR 512MB X8 BGA 8X13(X1.2)DDR DInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AET TR
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AIT TR
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AIT TR
IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP IIInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AET
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD56PT6-2AET TR
DDR 512MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation -
NDD36PT6-2AIT
DDR 256MB X16 TSOPII 66L 10X22(XInsignis Technology Corporation